일요주간 - SK하이닉스, DRAM 메모리 부문 선전…높은 가치 제품 판매로 이익 전환

HBM·DDR5 고가치 판매 호조… DRAM 단가 10% 상승
NAND는 손실 지속되나, 모바일 및 SSD 제품의 판매량 증가

▲ 사진 = SK하이닉스 제공

 

[일요주간 = 조무정 기자] SK하이닉스는 올해 3분기(7-9월)에 9조 662억 원의 매출과 1조 792억 원의 영업 손실을 기록했다다.

이는 지난해 동기대비 매출이 17.5% 감소한 것이며 영업 이익 또한 손실로 돌아섰다. 작년 3분기 영업이익은 1조 6605억 원이었다. 올해 3분기 누적 손실은 8조 763억 원에 이른다.

그러나 지난 분기(매출 7조 3059억 원, 영업 손실 2조 8821억 원)에 비해 DRAM 사업의 강세로 성과가 개선됐다. 동기대비 매출이 24.1% 증가하고 영업 손실이 37.8% 감소해 영업 손실률이 39%에서 20%로 감소했다. 올해 3분기 순손실은 2조 1847억 원으로 집계됐다.

SK하이닉스는 "올해 1분기에 손실로 돌아선 DRAM이 두 분기만에 흑자로 전환된 것이 가장 의미 있다"며 "고성능 메모리 제품 중심의 시장 수요 증가로 올해 1분기 사업 성과가 계속 개선되고 있다"고 밝혔다.

올해 3분기에는 HBM3, AI (인공 지능) 메모리 대표 제품 및 대용량 DDR5, 고성능 모바일 DRAM과 같은 주요 제품의 판매가 많았다. 제품별로는 AI와 같은 고성능 서버 제품의 강력한 판매 덕분에 DRAM 출하량이 전 분기 대비 약 20% 증가했으며 평균 판매 가격 (ASP) 또한 약 10% 상승했다.

손실 중인 NAND 플래시 메모리 판매도 증가하고 있다. 회사 관계자는 대용량 모바일 제품 및 SSD (Solid State Drive) 중심으로 출하가 증가했다고 설명했다.

메모리 공급 업체의 생산 감소 효과가 올해 하반기에 나타나면서 재고가 줄어든 고객을 중심으로 메모리 구매 수요가 생성되고 제품 가격도 안정화되고 있다. NAND 플래시의 경우 시장 상황이 점차 개선되는 조짐이 있다.

SK하이닉스는 HBM, DDR5, 및 LPDDR5 (저전력 DRAM)와 같은 고가치 플래그십 제품에 투자를 확대하기로 결정했다. 회사는 10나노 4세대(1a) 및 5세대(1b) DRAM에 초점을 맞춘 프로세스로 전환하며 HBM 및 첨단 패키징 기술, TSV (실리콘을 통한 경유)에 투자를 확대할 계획이다.

SK하이닉스의 김우현 부사장(CFO)은 "앞으로 HBM 및 DDR5와 같이 우리가 글로벌 리더인 제품을 통해 기존과는 다른 새로운 시장을 창출할 것"이라며 "고성능 프리미엄 메모리의 1위 공급 업체로서의 위치를 계속 강화하겠다"고 강조했다.

한편 SK하이닉스는 26일 보통주당 300원의 현금 배당을 지급하기로 발표했다. 시장 배당률은 0.3%이며 배당 기록일은 9월 30일이다.

 

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