BCD·SiC·GaN 전력반도체 기술 총출동… 현지 팹리스 신규 고객 정조준
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| ▲ DB하이텍, 인도 파운드리 시장 정조준…SiC·GaN·BCD 앞세워 현지 고객 확대(이미지=DB하이텍) |
DB하이텍이 인도 반도체 시장 공략을 본격화한다.
DB하이텍은 오는 9월 16일부터 18일(현지시간)까지 인도 벵갈루루에서 열리는 ‘일렉트로니카 인디아 2026’에 참가해 주요 파운드리 공정 기술을 소개하고 현지 팹리스 기업을 중심으로 신규 고객 발굴에 나선다고 26일 밝혔다.
이번 전시회에서는 주력 공정인 BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)를 비롯해 차세대 전력반도체 SiC(실리콘카바이드)와 GaN(갈륨나이트라이드), X-ray·Global Shutter·SPAD 등 특화 CIS와 Mixed-Signal/RF 공정 기술을 선보인다.
특히 BCD 공정은 누적 웨이퍼 출하량 900만장을 기록하며 축적한 양산 경험과 공정 경쟁력을 앞세워 자동차·산업 등 고부가가치 분야로 적용 범위를 확대하고 있다.
차세대 전력반도체 분야에서는 1200V SiC MOSFET 공정 검증을 최근 완료했으며, 650V GaN 공정은 올해 12월까지 검증을 완료할 계획이다. 현재 전략 고객을 대상으로 관련 공정을 활용한 제품 성능 평가도 진행하고 있다.
인도는 정부의 반도체 산업 육성 정책과 투자 확대를 바탕으로 현지 반도체 생태계가 빠르게 성장하고 있다. 특히 팹리스 기업들이 자체 반도체 제품 개발로 사업 영역을 확대하면서 파운드리 수요 증가가 예상되는 만큼 DB하이텍은 현지 고객과의 협력을 강화한다는 방침이다.
DB하이텍 관계자는 "인도는 현지 팹리스와 반도체 생태계가 빠르게 성장하며 새로운 사업 기회가 확대되고 있는 시장"이라며 "이번 전시회를 통해 현지 고객과의 접점을 넓히고 전력반도체 및 특화 공정 경쟁력을 기반으로 신규 사업 기회를 지속 발굴해 나갈 것"이라고 말했다.
일요주간 / 엄지영 기자 circle_90@naver.com
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